Tiristorul controlat prin structura MOS
(MOS-Controlled Thyristor, MCT) combina structura de comanda MOSFET
cu reactia pozitiva interna specifica tiristorului.
Tiristorul MCT are in principiu o structura pnpn de putere si o
structura MOSFET de comanda (grila, poarta). Dispozitivul este amorsat de un impuls
negativ de tensiune, aplicat intre grila si anod si
prezinta avantajul comenzii "bilaterale", putand fi amorsat si blocat
prin grila (MCT bilateral).
Aceste
dispozitive au aplicabilitate similara cu cea a tiristoarelor GTO, dar
tiristorul MCT se comanda mai simplu.
Un avantaj important al tiristoarelor MCT este valoarea
scazuta a tensiunii de iesire (VAK) in starea saturat, de pilda 1,3 V la 75
A si 90 C.
In figura 2.9.2 sunt prezentate
evolutiile tensiunilor de saturatie in functie de curentul de
sarcina pentru tranzistoare MOSFET, tranzistoare IGBT si tiristoare
MCT, pentru aproximativ aceeasi dimensiune a cristalului.
.com