TIRISTORUL

TIRISTORUL

1 Clasificarea tiristoarelor

Structura de baza utilizata in electronica de putere este structura pnpn produsa

de Shokley.Polarizata direct,prezinta o caracteristica rtensiune-curent proprie

elementelor de comutatie,cu doua stari stabile:blocare si conductive.

In starea blocata , structura pnpn poate suporta tensiuni de ordinal miilor de

volti,iar in conductie suporta curenti de sute de ampere,cu caderi de tensiune

reduse la borne.

In present principalele directii de ameliorare ale tiristoarelor sunt:

. Tensiuni de blocare cat mai inalte;

. Curent direct cat mai mare;

. Panta admisibila di/dt cat mai mare;

. Panta admisibila du/dt cat mai mare;

. Timp de blocare cat mai scurt;

. Putere de comanda cat mai redusa;

. Frecventa de lucru cat mai inalta;

2 Structura si caracteristica static

Structura de tiristor se compune din patru straturi semiconductoare in serie

pnpn,formand astfel trei jonctiuni ,cum este aratat in figura 2.38.

Fig. 2.38.a. Structura semiconductoare cristalina a tiristorului

Fig. 2.38.b. Schema echivalenta a tiristorului realizata cu diode

Fig. 2.38.c. Curentii de electroni si goluri in structura tiristorului

Cele doua structure din mijloc (n2 si p3) sunt mai slab dopate decat straturile

marginale (p1 si n4).

Tiristorul in executie normala are trei electrozi:anodul A asezat pe stratul p

marginal (p1),catodul K asezat pe stratul n marginal (n4) si electrodul de

comanda sau grila G care este in contact cu stratul p dinspre catod (p3). In

figura se arata polarizarea directa a tiristorului adica anodul este cuplat la polul

pozitiv,iar catodul la polul negativ al sursei de alimentare de tensiune U.

Jonctiunea pn poate fi inlocuita cu o schema echivalenta compusa din trei diode

ca in figura 2.38 b.

Aplicand tensiunea de alimentare U pe tiristor prin inchiderea intrerupatorului

K,jonctiunile marginale j21 si j43 vor fi polarizate direct , in sensul de conductie,

iar jonctiunea din mijloc j23 in sens invers.Astfel tiristorul,practice este blocat si

prin el trece un curent foarte mic de polarizare directa in stare blocata.

Pentru amorsarea tiristorului polarizat direct se aplica un impuls pozitiv pe

grila , inchizand intrerupatorul K2 .Dioda j23 va fi polarizata in sens direct,

ajungand in conductive,iar tiristorul va putea prelua curentul de sarcina IA.

Acest curent va trece prin jonctiunile j21 si j43 in sensul de conductie, iar prin

jonctiunea j23 in sens contrar de conductive.Intr-adevar jonctiunea j23 pierde

caracterul de dioda si desi este polarizata in sensul de blocare , va conduce

curentul de sarcinaIA.

Barierele de potential ale j21 si j43 sunt compensate de tensiunea exterioara, iar

datorita polarizarii in sens invers a jonctiunii j23 aceasta preia toata tensiunea

aplicata.

Aceasta tensiune mareste campul electric al jonctiunii care favorizeaza , pe

langa miscarea termica,deplasarea electronilor spre stratul n2 si a golurilor in p3.

Aceasta corespunde curentului in sens direct ID.

Electronii reduc putin campul electric al jonctiunii j21. Golurile injectate in

stratul p1 trec jonctiunea j21 , o parte dintre ele se recombina cu electronii

curentului ID iar restul de goluri , determinat de factorul 􀢻A adica 􀢻AIA ajunge la

jonctiunea j23, unde campul electric al acestei jonctiuni ajuta trecerea in stratul

p3.

Aceste goluri reduc campul electric al jonctiunii j43 , astfel stratul catodic n4 va

furniza o cantitate corespunzatoare de electroni in stratul p3.

In directia catod-anod apare acelasi fenomen ca cel descries mai sus

caracterizat de factorul 􀢻K cu deosebirea ca,pe langa curentul de sarcina prin

tiristor IA mai apare si curentul de comanda IG prin grila.

Suma curentilor in stratul p3 se obtine cu relatia:

curentul ID .Acest domeniu corespunde blocarii in sens direct a tiristorului zonei

2 din caracteristica i=f(v)(figura 2.39).

Fig. 2.39. Caracteristica statica a circuitului de sarcina

In domeniul curentilor mai mari creste brusc peste 1 si numitorul

fractiei devine negativ.

Deci tiristorul in domeniul curentilor mari anodici se comporta ca o diode

direct polarizata.Acestui domeniu ii corespunde zona 1 din caracteristica statica.

Caderea de tensiune pe tiristorul in conductive este de 1.2 V.

IH =curentul de mentinere;

VBX =tensiunea de strapungere la polarizarea inversa;

VBD =tensiunea de autoamorsare;

IG =0 apare pericolul distrugerii tiristorului.

Tensiuni definite in cataloagele privitoare la tiristor sunt precizate in fig 2.40.

VDRM =tensiunea de varf repetitive in stare blocata in conductie directa;

VDWM=tensiunea de varf de lucru in stare blocata,in conductie directa;

VDSM=tensiune de varf nerepetitiva in stare de blocare;

VRRM=tensiune inversa de varf repetitiva;

VRSM=tensiune inversa de varf nerepetitiva;

VRWM=tensiune inversa de varf de lucru.

Fig. 2.40. Tensiunile definite in catalog pentru tiristor

3 Constructia tiristorului

Tiristorul este compus din carcasa si structura semiconductoare. Carcasa

protejaza structura din punct de vedere mecanic si de influenta mediului

inconjurator.Totodata preia si conduce caldura degajata in urma pierderilor

electrice din structura spre corpul sau agentul de racire.Exista doua variante

constructive ale tiristoarelor -una cu racire unilaterala cu o singura baza si a

doua cu racire in doua directii.

4 Caracteristica circuitului de comanda

Caracteristica circuitului de comanda a tiristorului reprezinta dependent

curent-tensiune a impulsului de comanda.Aceasta caracteristica este data in

figura 2.41 si de fapt corespunde jonctiunii pn, adica jonctiunii j43 dintre grila si

catod. 􀢻K din constructie in cazul curentilor mici este foarte redus,dar la

cresterea curentului anodic va creste foarte mult.Jonctiunea dintre grila si catod

are un character mai slab de diode in ambele directii de polarizare.

Fig. 2.41. Caracteristica de comanda pe grila a tiristorului

Aceasta se explica prin faptul ca tensiunea de blocare admisibila nu este atat

de mare ca la diodele semiconductoare;iar in directia de conductive caderea de

tensiune este mai mare,adica caracteristica este mai plata ;puterea de disipatie

admisibila este mica si caracteristicile au o dispersie mult mai mare decat cazul

diodelor.

UGmax=6.10V;IGmax=1.2A.

PDmax=0,5W=puterea de disipatie maxima admisibila care corespunde starii de

conductive de 100%.

UGmin si IGmin care delimiteaza domeniul hasurat unde tiristorul poate fi amorsat

in anumite conditii. Punctul A=punctul de functionare pentru o caracteristica oarecare din

domeniul de dispersie si pentru o dreapta de sarcina.

5 Amorsarea tiristorului

Amorsarea are loc atunci cand la o tensiune de polarizare directa intre anod si

catod dispozitivul ajunge din stare blocata in stare de conductive.Amorsarea

poate avea loc in trei moduri:

. Aplicand un curent de comanda pe grila;

. Depasind tensiunea de autoamorsare;

. La o panta mare de crestere a tensiunii de polarizare directa a tiristorului;

Prima corespunde amorsarii normale a tiristorului, iar ultimele doua de obicei

se evita fiind periculoase pentru structura tiristorului.

Depasirea tensiunii de autoamorsare U(BD)max produce o crestere pronuntata a

curentului de blocare directa ID si conduce la amorsarea tiristorului.Acest mod

de amorsare este periculos deoarece tensiunea mare aplicata pe tiristor

determina un camp electric puternic care poate produce strapungerea si

distrugerea structurii semiconductoare.Prin urmare nu este recomandabila

amorsarea tiristorului in lipsa curentului de comanda prin cresterea tensiunii

peste U(BD)max .

De asemenea nu este recomandabila nici amorsarea tiristorului in urma

cresterii rapide a tensiunii de polarizare directe aplicate pe tiristor, adica du/dt

mare, deoarece produce supraincalziri locale,datorita curentului capacitive

proportional cu du/dt si capacitatea j23 .

In cazuri speciale se ajunge la 1000V/s.

La tiristoare se poate comuta in parallel cu circuitul de comanda un grup R-C.

Fig. 2.42. Amorsarea tiristorului

a) ti -timpul de intarziere este durata de la inceputul aplicarii impulsului de

comanda pana cand jonctiunile j21 si j43 polarizate direct incep sa injecteze

purtatori de sarcina in jonctiunea j23 , iar tensiunea anodica incepe sa

scada brusc.

b) tc -timpul de comutare propriuzisa este durata de timp in care sectiunea

redusa a jonctiunii j23 care conduce se polarizeaza direct.Timpul de

comutare se reduce cu marirea amplitudinii si pantei de crestere a

impulsului de comanda.

c) ts-este durata de timp in care tiristorul odata aprins ajunge sa conduca pe

toata suprafata transversala a structurii numit timp de stabilire a

amorsarii.

Blocarea tiristorului

Blocarea consta in aducerea din stare de conductie in stare de blocare.

Pentru aceasta este nevoie de reducerea purtatorilo de sarcina in diferite

sectiuni ale structurii semiconductoare,in special din mijloc j23 pentru a

elimina reactia de curent.Un tiristor poate fi blocat numai daca curentul prin

el scade sub valoarea curentului de mentinere IH . Numai anumite tiristoare

pot fi blocate de la electrodul de comanda prin aplicarea unui impuls

negativ.In general tiristoarele nu pot fi blocate prin electrodul de comanda.

Tiristoarele de putere se blocheaza cand curentul trece prin zero.In

circuitele de curent continuu tiristorul poate fi stins prin intreruperea

circuitului sau cu ajutorul circuitelor de stingere care pot function ape baza a

doua principii:

. sa sunteze tiristorul,adica sa preia curentul acestuia;

. sa aplice o tensiune inversa,ce produce un curent in sens invers

curentului tiristorului pentru a reduce valoarea acestuia sub IH.

La blocarea tiristorului se defines doua etape:

. atingerea starii de blocare la polarizare inversa;

. atingerea starii de blocare la polarizare directa.

Astfel se ajunge la definirea timpului de revenire a tiristorului.

Variatia in timp a curentului si tensiunii pe tiristor in procesul de blocare este

reprezentata in figura 2.43 unde se poate observa ca prima data se aplica

tiristorului o tensiune VR de polarizare inversa, apoi o tensiune directa VD in

stare de blocare .S-a presupus o sarcina rezistiva in circuitul anodic.

In timpul de conductive a tiristorului curentul e asigurat de un numar mare de

purtatori de sarcina.

Procesul de blocare se considera din momentul t0 cand incepe sa scada

tensiunea directa a circuitului.In acelasi timp incepe sa scada curentul anodic si

de asemenea se reduce injectarea purtatorilor de sarcina in jonctiunile j21 si j43 .

Daca sarcina nu este pur rezistiva scaderea curentului este determinate de

caracterul circuitului de sarcina.

In straturile interne pn scaderile purtatorilor de sarcina este intarziata fata de

scaderea curentului.

In momentul t1 curentul anodic si tensiunea pe sarcina devin 0.Din acest

moment cu toate ca tensiunea de alimentare devine negativa, conductibilitatea

jonctiunilor nu se schimba datorita numarului de purtatori de sarcina care mai

exista in aceste sectiuni.

Fig. 2.43. Blocarea tiristorului

Astfel si la polarizarea inversa va persista curentul si ramane neschimbata

panta de variatie a acestuia.

Curentul invers prin tiristor elimina purtatorii de sarcina se elimina prima

data din jonctiunea j43 astfel aceasta jonctiune poate sa preia o tensiune inversa.

Prin urmare tensiunea la bornele tiristorului devine negative si in momentul t3

atinge valoarea maxima pe care o poate prelua jonctiunea j43 .In intervalul t3-t2

scade valoarea curentului invers prin tiristor in functie de tensiunea inversa

stabilizata pe tiristor, apoi incepe incepe sa creasca negativ cu o panta

determinata de tensiunea externa si rezistenta de sarcina.

In urma existentei curentului invers se elimina purtatorii de sarcina si din

jonctiunea j21 , astfel incat in momentul t4 va fi in stare sa preia si ea tensiunea

inversa.

Din acest moment incepe sa scada curentul invers, prima data brusc, apoi se

stabileste incet la valoarea corespunzatoare regimului static de polarizare

inversa IR.

In momentul t5 tiristorul reprimeste proprietatea de blocare la polarizare

inversa.

Durata de timp (t5-t1)este timpul de revenire a tiristorului la polarizare inversa

notat cu trr.

Daca in circuitul tiristorului pe langa rezistente exista si inductivitati,atunci

curentul in domeniul t2.t3 nu poate varia instantaneu,iar in momentul t4

variatia rapida a curentului produce varfuri de tensiuni inverse pe inductivitati

in circuitul de blocare care se aplica tiristorului.Pentru a proteja tiristorul de

supratensiunile periculoase , se conecteaza in parallel cu acesta protectii R-C

serie.Pentru calculul acestei protectii trebuie cunoscuta cantitatea purtatorilor

de sarcina eliminate la polarizare inversa Qrr .Valoarea Qrr depinde de

amplitudinea curentului prin tiristor inainte de stingere si de panta curentului

di/dt la scaderea acestuia pe intervalul t1-t4 .

7 Modelul SPICE al tiristorului

Modelul tiristorului este definit in ISSPICE folosind un circuit format din mai

multe componente: rezistoare,diode stabilizatoare si doua tranzistoare de tip pnp

si npn. Se prezinta in continuare fisierul de circuit folosit pentru modelarea si

analiza regimurilor tranzitorii ale tiristorului SGS-Thomson BTW-120, 1200V,

30A.

FISIER CIRCUIT

*SPICE_NET

.TRAN 0.01 250 U 50U

.PRINT TRAN V(1) I(VK) V(1) V(8) V(3)

*INCLUDE DECICE.LIB

*INCLUDE DIODE2.LIB

.OPTION METHOD=GEAR ABSTOL=1N ITL4=1000 RELTOL=0.001

*ALIAS V(8)=ANODE VOLTAGE

*ALIAS V(3)=GATE VOLTAGE

.PRINT TRAN V(8) V(3)

QN 4 6 5 NOUT OFF

.MODEL NOUT NPN(IS=12P BF=100 RC=8M CJE=3.77N CJC=74P+TF=358N

TR=170U)

QP 6 4 1 POUT OFF

.MODEL POUT PNP (IS=12P BF=1 CJE=3.77N)

RF 4 6 120MEG

RR 1 4 80MEG

RGK 6 5 17

RK 5 2 2M

RG 3 6 6.75

DF 6 4 ZF

.MODEL ZF D(IS=12F IBV=2U BV=1.2K RS=18MEG)

DR 1 4 ZR

.MODEL ZR D(IS=12F IBV=2U BV=1.6K)

DGK 6 5 ZGK

.MODEL ZGK D(IS=12V IBV=2U BV=5)

V1 8 0 PULSE(400 -400 100U 10U 1U 200U 450U)

V2 3 0 PULSE (0 10 10U 1N 5U 10U 300U)

VK 2 0

*SARCINA REZISTIV INDUCTIVA

R2 7 1 1K

L1 8 7 5M

.END

Schema de circuit este data in figura 2.44

In figura 2.45 sunt prezentate rezultatele simularii la comutatie in blocare a

tiristorului.

Fig. 2.44. Modelul tiristorului si studiul de comutatie cu circuit de test

Fig. 2.45. Comutatia tiristorului pe sarcina rezistiv-inductiva

8 Circuite cu tiristor

Se considera circuitul cu sarcina rezistiva din figura 2.46 alimentat de la sursa

de tensiune alternativa:

Fig. 2.46. Circuitul de test pentru studiul redresarii monoalternanta pe sarcina rezistiva

Factorul de forma al tensiunii sarcinii este:

Folosind un model SPICE conceput similar celui prezentat anterior,se

utilizeaza redresarea mono-alternanta pe sarcina rezistiva.Schema de circuit si

probele din nodurile 1,3,8 se prezinta in figura 2.46.Formele de unda ale

curentului si caderii de tensiune pe tiristor sunt prezentate in figura 2.47.

Fisierul de circuit este prezentat mai jos.

Fig. 2.47. Forme de unda ale caderii de tensiune pe tiristor si a curentului redresat

FISIERUL DE CIRCUIT

*SPICE_NET

.TRAN 0.01M 40M

.PRINT TRAN V(1) I(VK) V(5) V(8) V(3)

*INCLUDE DEVICE.LIB

*INCLUDE DIODE2.LIB

.OPITION METHOD=GEAR ABSTOL=1N ITL4=1000 RELTOL=0.001

*ALIAS V(8)=ANODE VOLTAGE

*ALIAS V(3)=GATE VOLTAGE

.PRINT TRAN

QN 4 6 5 NOUT OFF

.MODEL NOUT NPN (IS=12P BF=100 RC=8M CJE=3.77N CJC-754P + TF=358N

TR=170U)

QP 6 4 1 POUT OFF

.MODEL POUT PNP (IS=12P BF=1 CJE=3.77N)

RF 4 6 120MEG

RR 1 4 80MEG

RGK 6 5 17

RK 5 2 2M

RG 3 6 6.75

DF 6 4 ZF

.MODEL ZF D(IS=12F IBF=2U BV=1.2K RS=18MEG)

DR 1 4 ZR

.MODEL ZR D( IS=12F IBV=2U BV=1.6K)

DGK 6 5 ZGK

.MODELZGK D(IS=12F IBV=2U BV=5)

V1 8 0 SIN 0 622 50

V2 3 0 PULSE( 0 1 2.5M 50U 50U 1M 20M 40M)

*PARAM DY=5M

VK 2 0

R2 8 1 100

.END

Simbolul folosit in SPICE pentru modelul de tiristor predefinit in fisierul de

circuit anterior este prezentat in figura 2.48 intr-un circuit folosit la analiza in

curent continuu.In figura 2.49 se prezinta caracteristica de conductie a

tiristorului BTW68-120.

Fig. 2.48. Circuitul de test pentru determinarea caracteristicii de curent continuu

ANALIZA CC

*SPICE_NET

.DC IA 0 100 1

.PRINT DC V(1) V(2)

*INCLUDE SCR.LIB

*ALIAS V(1)=ANODE VOLTAGE

*ALIAS V(2)=GATE VOLTAGE

.PRINT DC V(1) V(2)

IA 0 1 20

IG 0 2 .02

X1 1 2 0 BTW68120

.END

Fig. 2.49. Caracteristica statica de conductie simulata a tiristorului

Circuit cu tiristor si motor de curent continuu

Curentul prin circuit se poate comanda intre limitele in care tiristorul este

polarizat direct.Curentul prin circuit se determina cu relatia:

este unghiul de comanda al tiristorului(referitor la momentul in care

se aplica impulsul pozitiv fata de catod pe grila tiristorului).Celelalte marimi au

fost definite la tratarea circuitului cu dioda in serie cu motorul de curent

continuu.

Schema de circuit este prezentata in figura 2.50 iar fisierul de circuit este

prezentat in continuare.

*SPICE_NET

.OPTION METHOD=GEAR ABSTOL =1N ITL4=1000 RELTOL=0.001

.TRAN 0.01M 2000M 1980M

.PRINT TRAN V(1) V(2) I(VX2) I(VX1)

*INCLUDE SCR.LIB

V1 2 0 SIN 0 600 50

RA 1 4 0.72

LA 4 5 25M

VX1 5 6

B1 6 0 V=5.91*I(VX2)

RF 7 8 0.35

LJ 8 9 1

B2 7 0 V=5.91*I(VX1)

VX2 9 0

IG 0 10 PULSE 0 0.05 0.003 0 0 0.001 0.02

X1 2 10 1 BTW68120

.END

Fig. 2.50. Motorul de curent continuu ideal alimentat de la o sursa de tensiune alternativa prin intermediul unui tiristor

Pentru diverse valori ale unghiului de aprindere al tiristorului se va studia

evolutia turatiei motorului.In figura 2.51 sunt prezentate formele de unda ale

curentului prin circuit si ale tensiunii la bornele motorului.

Fig. 2.51. Influenta momentului de aplicare al impulsului de comanda asupra curentului prin circuit si a tensiunii redresate

9 Protectia tiristoarelor

9.1 Protectia la supratensiuni inverse de comutatie

La blocarea tiristoarelor datorita pantei mari a scaderii curentului invers,care

produce supratensiuni inverse pe tiristor,trebuie utilizata protectia prin circuit

R-C serie legat in paralel cu tiristorul.Acelasi fenomen apare si la blocarea unei

diode.

Pentru dimensionarea protectiei R-C se va porni de la schema echivalenta din

figura 2.52,unde, tiristorul este inlocuit cu intrerupatorul K care intrerupe

circuitul in momentul t4.Deconectarea intrerupatorului produce circuitul

oscilant format din protectia RC si inductivitatea de comutatie LK.

In cazurile cand tiristoarele lucreaza la frecvente medii sau in schemele unde

tensiunea anodica are pulsatii mari,valoarea rezistentei RB poate sa creasca

foarte mult .In aceste cazuri in paralel cu rezistenta de protectie se leaga o dioda

Fig. 2.52. Schema echivalenta pentru protectia cu grup RC

In astfel de montaje pentru determinarea puterii PRB se utilizeaza doar primii

termeni din montaj RB;CB;DB .

Pierderile circuitului de protectie mai pot fi reduse si prin introducerea unei

bobine saturabile (b) care de fapt reduce si pierderile de aprindere.Bobina Lp

reduce panta curentului in jurul punctului de trecere prin zero a acestuia si

astfel mareste si timpul de revenire,in acest fel reducandu-se cantitatea

purtatorilor de sarcina.

Fig. 2.53. Tipuri de protectii la frecvente medii si mari

Rezistenta Rp asigura ca energia inmagazinata in inductivitatile de comutatie

sa se pastreze sub o valoare bine stabilita.

Atat bobina Lp cat si rezistenta Rp contribuie si la reducerea valorii capacitatii

CB . Pierderile pot fi si mai mult reduse cu o dioda legata in paralel cu RB sau in

serie cu Rp .

Blocarea unei diode fiind asemanatoare tiristoarelor caracterizate de aceleasi

marimi ,protectia la supratensiuni inverse de comutatie se face asemanator.

9.2 Protectia la supratensiuni ce provin din retea

Protectia la supratensiuni provenite din retea sau la cuplari ale

transformatoarelor,respectiv sarcinii,se face prin conectarea in primarul sau

secundarul transformatorului a unor grupuri R-C serie in faze.

Fig. 2.54. Protectii la supratensiuni ce provin din retea

Condensatorul de protectie se calculeaza cu relatia:

unde avem:

SN =puterea aparenta nominala a transformatorului in KVA;

I0 =curentul de mers in gol al transformatorului in % raportat la curentul

nominal;

f= frecventa retelei in Hz;

VRRM=valoarea maxima admisibila a tensiunii inverse repetitive in V;

VinvT=tensiunea inversa maxima pe tiristor plus supratensiunile ce pot aparea in

V;

9.3 Protectia circuitului de comanda a tiristorului

Protectia contra supratensiunilor negative in circuitul de comanda se face cu

ajutorul unei diode montata in paralel sau serie cu grila conform figurii 2.55.

Protectia contra aprinderilor false din cauza curentilor capacitivi se efectueaza

prin montarea unui grup R -C pe electrodul de comanda al tiristorului.

Fig. 2.55. Protectia circuitului de comanda

9.4 Protectia de supratensiuni de scurta durata

Se efectueaza prin sigurante ultrarapide montate in serie pe fiecare tiristor sau

una pe baza de alimentare.

Pentru alegere se urmareste ca integrala de sarcina limita a tiristorului sa fie

deasupra celei a sigurantei.De obicei firmele indica pentru fiecare tiristor

siguranta sa ultrarapida.

9.5 Protectia tiristoarelor legate in serie

In cazul legarii in serie a tiristoarelor calculul protectiei la supratensiuni de

comutatie prezinta anumite particularitati.La fiecare tiristor se conecteaza in

paralel un grup RB -CB cu datele initiale:tensiunea de comutatie UK

inductivitatea de comutatie LK,curentul de conductie inainte de blocarea

tiristorului,iar in ceea ce priveste tiristorul VRRM si Qrr .

Pentru micsorarea tensiunilor inverse pe tiristoare pe langa grupurile

individuale RC se mai adauga in paralel cu acestea o rezistenta. Divizorul de

tensiune este obligatoriu in cazul cand aprinderile tiristoarelor nu sunt periodice

sau cand se aplica tensiuni de blocare de curent continuu.

Fig. 2.56. Protectia la legarea in serie a tiristoarelor