Creeaza.com - informatii profesionale despre


Cunostinta va deschide lumea intelepciunii - Referate profesionale unice



Acasa » tehnologie » electronica electricitate
Comutatia tranzistoarelor bipolare cu grila izolata (IGBT)

Comutatia tranzistoarelor bipolare cu grila izolata (IGBT)



Comutatia tranzistoarelor bipolare cu grila izolata (IGBT)

Tranzistorul de tip IGBT (Insulated Gate Bipolar Tranzistor) prezinta o poarta izolata printr-un strat de oxid de siliciu si o structura celulara fina asemanatoare unui tranzistor MOSFET de putere, dar partea de colector se bazeaza pe o jonctiune p-n care injecteaza purtatori minoritari in canal asa incat tranzistorul IGBT prezinta o combinatie de proprietati MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tranzistor) si BJT (Bipolar Junction Tranzistor), adica proprietati ale unui tranzistor cu efect de camp cu izolatie prin oxid de siliciu si respectiv ale unui tranzistor bipolar.

Tranzistorul bipolar prezinta: pierderi reduse in conductie, in special la dispozitive ce functioneaza la tensiuni ridicate, tensiune mare de blocare, dar un timp de comutatie mai lung (mai ales la blocare).

Structura MOSFET din IGBT poate fi comutata mult mai rapid, dar pierderile in starea de saturatie sunt mai mari, in special la dispozitivele ce functioneaza la tensiuni ridicate.

In ansamblu, modul de functionare al tranzistorului IGBT este asemanator cu cel al tranzistorului MOSFET de putere. Diferenta principala consta in modulatia conductivitatii regiunii (n), rezultand o rezistenta echivalenta mai mica intre terminalele de putere.

In figura 2.8.1.a este prezentat un model de circuit al tranzistorului  IGBT, iar in figura 2.8.1.b, simbolul acestuia.

Datorita faptului ca un tranzistor IGBT este in principiu de tip MOSFET, tensiunea intre grila si emitor (VGE) controleaza starea dispozitivului. Daca tensiunea (VGE) este mai mica decat pragul (VGE-thr), dispozitivul este blocat si are loc doar o mica „scurgere” de curent. Daca tensiunea grila – emitor depaseste acest prag (VGE-thr 3V), tranzistorul IGBT trece in starea de saturatie. Tensiunea de saturatie (VCE-sat) este mai mica decat tensiunea sursa-drena a tranzistorului MOSFET pentru acelasi curent de sarcina si aceeasi tensiune.

Timpii de comutatie sunt foarte mici, de cca. 1 msec, sau chiar mai putin.

In starea de saturatie, tensiunea de saturatie depinde  de curentul de colector, de tensiunea grilei si de temperatura.

Datorita faptului ca structura tranzistorului IGBT este similara cu cea a tranzistorului MOSFET, circuitele integrate de comanda ale grilei pentru tranzistorul MOSFET pot fi utilizate cu succes si in cazul tranzistorului IGBT. Un circuit modern de comanda (control) este prezentat in figura 2.8.2, avand avantajul ca nu necesita surse aditionale de putere separate. De la sursa de alimentare de putere (Eb), prin (R2) si (d3) este incarcat condensatorul de filtrare (C+) la tensiunea de (+15V), limitata de dioda Zenner (DZ+). Amplificatorul de comanda (A) poate deja sa functioneze si sa satureze tranzistorul IGBT. La repetarea comutatiilor tranzistorului IGBT, curentul care curge prin (C1R1) incarca capacitatea (C+) la (+15 V) si (C-) la (-10V) pentru a asigura alimentarea amplificatorului de comanda (A). Tensiunea de intrare corespunde nivelului TTL. Dezavantajul circuitului consta in lipsa izolarii galvanice intre circuitul de control si cel de putere.

Marele avantaj al tranzistorului IGBT, asemanator tranzistorului MOSFET, consta, asa cum s-a aratat, in posibilitatea utilizarii circuitelor integrate dedicate comenzii grilei.

In figura 2.8.3 este prezentata schema unui circuit integrat de comanda (M57998L POWEREX), conceput sa controleze un tranzistor IGBT (cu canal n), prezentand si avantajul izolarii galvanice. Functionarea la supracurent poate fi detectata prin masurarea tensiunii (VCE) in starea de saturatie (la pinul (1) de „detectie”). In functionare normala, aceasta tensiune are valori scazute, dar la supracurent tensiunea (VCE) creste. Protectia la scurtcircuit (sau supracurent) este asigurata de un circuit de desaturare. Daca protectia la scurtcircuit este activata, este generat un semnal extern de eroare, la pinul (8). In  figura 2.8.4 este prezentata o aplicatie a acestui circuit integrat dedicat. Sunt necesare doua surse de alimentare izolate (VCC=+15V) si (VEE=-10V). Semnalul de comanda corespunde familiei TTL. Acest circuit este recomandat pentru tranzistoare (module) IGBT utilizate pana la 1200V si 200 A.





loading...




Politica de confidentialitate

.com Copyright © 2020 - Toate drepturile rezervate.
Toate documentele au caracter informativ cu scop educational.


Proiecte

vezi toate proiectele
 PROIECT DE LECTIE CLASA: a X a EDUCATIE MUZICALA - OPERA IN GERMANIA SI RUSIA
 PROIECT DIDACTIC 3-5 ani Limba si comunicare - Strugurele, de Maria Gaitan
 Proiect instalatii electrice - Sa se proiecteze instalatia electrica si de forta a unei microintreprinderi la alegerea studentului
 PROIECT - Ingineria reglarii automate - sistemul de reglare automata a unei actionari cu motor electric

Lucrari de diploma

vezi toate lucrarile de diploma
 LUCRARE DE DIPLOMA - Rolul asistentului medical in ingrijirea pacientului cu A.V.C.
 Relatiile diplomatice dintre Romania si Austro- Ungaria din a doua jumatate a secolului al XIX-lea
 Lucrare de diploma managementul firmei “diagnosticul si evaluarea firmei”
 Lucrare de diploma tehnologia confectiilor din piele si inlocuitor - proiectarea constructiv tehnologica a unui produs de incaltaminte tip cizma scurt

Lucrari licenta

vezi toate lucrarile de licenta
 Lucrare de licenta contabilitate si informatica de gestiune - politici si tratamente contabile privind leasingul (ias 17). prevalenta economicului asupra juridicului
 Lucrare de licenta educatie fizica si sport - studiu asupra imbunataȚirii motricitaȚii in lectia de educatie fizica la clasele a v-a de la &
 Lucrare de licenta ecologie si protectia mediului - aspecte ecologice privind fauna de orthoptere si mantide din parcul national muntii macinului
 LUCRARE DE LICENTA - Asigurarea calitatii la firma Trans

Lucrari doctorat

vezi toate lucrarile de doctorat
 Diagnosticul ecografic in unele afectiuni gastroduodenale si hepatobiliare la animalele de companie - TEZA DE DOCTORAT
 Doctorat - Modele dinamice de simulare ale accidentelor rutiere produse intre autovehicul si pieton
 LUCRARE DE DOCTORAT ZOOTEHNIE - AMELIORARE - Estimarea valorii economice a caracterelor din obiectivul ameliorarii intr-o linie materna de porcine

Proiecte de atestat

vezi toate proiectele de atestat
 PROIECT ATESTAT INFORMATICA - GESTIONAREA STOCULUI UNEI FARMACII
 LUCRARE DE ATESTAT ELECTRONIST - TEHNICA DE CALCUL - Placa de baza
 Evidenta a clientilor dar si a serviciilor in Visual Fox pro 9 - Lucrare de atestat
 Lucrare atestat Tehnician in turism - CALITATEA SERVICIILOR TURISTICE




Circuite basculante bistabile de tip S-R Master-Slave
CONDENSATOARE CU HARTIE SAU MATERIAL PLASTIC
Arhitectura PLA
EXEMPLU INTRODUCTIV (SISTEMUL DE AFISARE ELECTRONICA SSD)
Clasificarea si aplicatiile tuburilor de microunde
REGIMURILE DE FUNCTIONARE ALE TRANSFORMATOARELOR ELECTRICE
Rezistenta electrica. Rezistoare.
Masurarea electrica a deplasarilor




Termeni si conditii
Contact
Creeaza si tu